Smartphonen kan få mange terabyte lagerplads
I fremtiden kan lagerpladsen i smartphones og tablets forøges voldsomt. Forskere mener at kunne 50-doble kapaciteten.
Mere og mere indhold placeres i cloudtjenester, men det betyder ikke et stop for udviklingen af lagerpladsen i mobile enheder, der typisk i dag har fra 8 til 128 GB hukommelsesplads.
En ny type hukommelsesteknologi kan teoretisk gøre det muligt at gemme utroligt mange flere data, på den samme plads der i dag er til rådighed, skriver Amobil.no.
Forskere på Rice University har demonstreret en metode hvor teknologien RRAM (Resistive Random Access Memory) kan produceres ved almindelig rumtemperatur, til fornuftige penge. Tidligere har man ved RRAM skulle bruge meget høje temperaturer ved fremstillingen af hukommelseschips.
Tidens lagringshukommelser, som bruges i telefoner, tablets og (nogle) computere med SSD-diske, er baseret på flashhukommelse, kendt som NAND. Her forbliver dataene i hukommelsen, også når der ikke er strøm på.
Dette kan også lade sig gøre med RRAM-typen, men hvor almindelig flashhukommelse lagrer en databit (0 eller 1) ved elektriske ladninger i transistorer, så bruger RRAM lagring ved hjælp af forskelle i elektrisk modstand. Det giver mulighed for, at hver bit optager mindre plads på hukommelseschippen.
Rice University siger producenter er ude med prototyper på denne type hukommelse, som vil kunne lagre omkring 1 terabyte data en chip med samme størrelse som et frimærke. Det er mere end 50 gange hvad der er muligt med den aktuelle flashteknologi.
Forskerne har også fundet ud af, hvordan data på RRAM kan gemmes i flere lag, så kapaciteten kan forøges yderligere.
– Se hvor meget hukommelsen mobilen reelt har
Mere til historien
I det historiske lys kan vi lige minde om, at en Nokia 3310 fra år 2000 ikke havde brugerhukommelse indbygget i telefonen. Her måtte man nøjes med at gemme indhold, der dengang var telefonbog, på SIM-kortet. Telefonen kunne desuden indeholde i alt 24 poster i opkaldsloggen. 8 udgående opkald, 8 indgående og 8 mistede.